大量整流二*管M1

二*管的工作原理

    晶体二*管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
    当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
    当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在*反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到*程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度*临界值产生载流子的*过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二*管的击穿现象。

二、二*管的类型

    二*管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二*管（Ge管）和硅二*管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二*管、整流二*管、稳压二*管、开关二*管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二*管、面接触型二*管及平面型二*管。点接触型二*管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不*过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。
    面接触型二*管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。
    平面型二*管是一种*的硅二*管，它不*能通过较大的电流，而且性能稳定*，多用于开关、脉冲及高频电路中。