高灵敏度锑化铟霍尔元件12AF
地区：江苏 南京
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订购信息
型号 | OH12AF | 工作温度 | -40～120℃ | 封装 | SOT143 | 包装 | 3000只/盘 |
概述
锑化铟（InSb)霍尔元件是用化合物半导体材料锑化铟制成，以霍尔效应为工作原理，可将磁场强度信号线性的转变成电压信号。
典型应用
检测磁性物质的旋转或者位置（用在无刷直流电机，无触点开关）
检测磁场（如无接触电流传感器等）
*限参数(Ta=25℃)
参数 | *号 | 量值 | 单位 |
输入电流 | Imax | 20 (at 25℃) | mA |
功耗 | Pmax | 150 (at 25℃) | mW |
工作温度范围 | Top | -40～ 120 | ℃ |
储藏温度范围 | Tst | -40～ 150 | ℃ |
电参数(Ta=25℃)
参数 | *号 | 检测条件 | *小值 | *大值 | 单位 |
霍尔输出电压 | VH | Vin＝1V, B＝500G（恒压） | 266 | 320 | mV |
输入电阻 | Rin | I＝0.1mA | 240 | 550 | Ω |
输出电阻 | Rout | I＝0.1mA | 240 | 550 | Ω |
不等位电压 | Vo | Vin＝1V, B＝0G | -7 | 7 | mV |
输出电压的温度系数 | αVH | Ta＝0～40℃*G. | - | -1.8 | % /℃ |
输入输出电阻的温度系数 | αRi | Ta＝0～40℃*G. | - | -1.8 | % /℃ |
※霍尔输出电压VH为实测值减区VO值，即VH＝VHM－VO,
（VHM :在500GS下测得的输出电压值）
"是
OH
OH12AF
霍尔
聚合物
半导体
单晶
集成
数字型
高
无
高
