高灵敏度锑化铟霍尔元件12AF

地区:江苏 南京
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订购信息

型号

OH12AF

工作温度

-40120

封装

SOT143

包装

3000/

 

概述

锑化铟(InSb)霍尔元件是用化合物半导体材料锑化铟制成,以霍尔效应为工作原理,可将磁场强度信号线性的转变成电压信号。

典型应用

检测磁性物质的旋转或者位置(用在无刷直流电机,无触点开关)

检测磁场(如无接触电流传感器等)

 

*限参数(Ta=25)

参数

*号

量值

单位

输入电流

Imax

20 (at 25)

mA

功耗

Pmax

150 (at 25)

mW

工作温度范围

Top

-40 120

储藏温度范围

Tst

-40 150

 

电参数(Ta=25)

 

参数

*号

检测条件

*小值

*大值

单位

霍尔输出电压

VH

Vin1V, B500G(恒压)

266

320

mV

输入电阻

Rin

I0.1mA

240

550

Ω

输出电阻

Rout

I0.1mA

240

550

Ω

不等位电压

Vo

Vin1V, B0G

-7

7

mV

输出电压的温度系数

αVH

Ta040*G.

-

-1.8

% /

输入输出电阻的温度系数

αRi

Ta040*G.

-

-1.8

% /

 

霍尔输出电压VH为实测值减区VO值,即VHVHMVO,

 VHM :500GS下测得的输出电压值)

"
是否提供加工定制

品牌/商标

OH

型号/规格

OH12AF

种类

霍尔

材料

聚合物

材料物理性质

半导体

材料晶体结构

单晶

制作工艺

集成

输出信号

数字型

灵敏度

漂移

分辨率