IGBT吸收电容

特点

采用双面金属化膜结构

低的等效串联电阻和等效串联电感

具有自愈性

长寿命，小温升

环氧树脂封装，镀锡铜线引出

无感结构

dV/dt值大,满足RoHS指令

用途

广泛应用于IGBT模块吸收

感应加热设备

焊机，变频器，不间断电源UPS,EPS

特性

引用IEC 61071国际标准

使用温度范围：-40℃～85℃

存储温度范围：-40℃～85℃

容量范围：0.0015 --10μF

容量偏差： ±5%, ±10%

电压范围：700 --3000 Vdc

测试数据

*间耐压：2Un 10s

损耗角正切：4.0 × 10-4 CR ≤1μF

6.0 × 10-4CR＞1μF 测试条件：100Hz 25℃

预期寿命：100 000 hours

*缘电阻： ≥100 000M CR ≤0.33μF

C × Ri ≥30000s CR＞0.33μF测试条件：100Vdc 25℃