STD系列IGBT突波吸收电容 双面金属化膜内串结构、*的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感*，多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路材料特性电容结构:双层金属化膜，内部串联结构封装:阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，*合(UL94V-0 )标准.尺寸: 适合于各种IGBT保护 。(可按客户需求定制*规格)电气特性电容量:0.0047 to
6.8μF,参考表格数据额定电压:700 to 3000 Vdc损耗角正切:测试条件 1000&plu*n;20 Hz ， 25&plu*n;5℃.
Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4*缘电阻:3000s，s= MΩ. μF 测试条件 1 minute，100Vdc (25&plu*n;5℃)耐电压:2Ur (DC)测试条件 10s，t 25&plu*n;5℃，1Min工作温度:-40~ 85℃
