-------------------------------------------------------------------------------- 详细介绍 -------------------------------------------------------------------------------- MKP-GTO型缓冲保护电容 MKP-GTO型缓冲保护电容是专门设计的,*是削弱GTO(Gate-Turn-Off)场效应管和 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)双*性*缘效应管使用时遇到的*电压. 电容器制造采用干式技术,采用金属化聚丙烯薄膜和组装在圆形塑料壳内,用阻燃填充料密封.这样结构造就了显著的优点,如: ·*低的电感 ·*高的脉冲*性 ·*高的额定电流承载能力 ·卓越的自愈能力 ·*高的碰撞和振动*能力 ·*的机械结构稳定能力 ·几乎是无限长的寿命 序 号 型 号 额定电压 容量范围 （MFD） 直流电压 交流电压 1 MKP-GTO 1000VDC 500VAC 1.0 ~ 10.0 2 MKP-GTO 1200VDC 550VAC 1.0 ~ 8.0 3 MKP-GTO 1600VDC 600VAC 1.0 ~ 5.0 4 MKP-GTO 2000VDC 650VAC 1.0 ~ 4.0 5 MKP-GTO 2500VDC 1000VAC 0.47 ~ 2.2 6 MKP-GTO 3000VDC 1200VAC 0.47 ~ 1.5 7 MKP-GTO 4000VDC 1500VAC 0.22 ~ 1.0 产品详细资料GTO缓冲保护电容器PDF附件
