MOS场效应管芯片IRF640
地区：辽宁 丹东
认证：
无
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产品属性
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| 品牌/商标 | TW | 型号/规格 | IRF640 |
| 种类 | *缘栅 | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 夹断电压 | 200（V） |
| 饱和漏*电流 | 18（mA） |
我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF640，质量*。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
芯片基本性质：：
芯片型号Model | IRF640 |
芯片尺寸： | 3.59*4.59 |
VDSS | 200V |
RDS(on) | 0.18(max) |
ID | 18.0A |
正面电*金属 | 铝 |
背面电*金属 | 银 |
芯片基本性质：
参考封装形式：
芯片型号 | 封装外型 | 封装类型 |
IRF640 | TO-220、 | 塑封 |
我公司可提供相关型号详细资料。
TW
IRF640
