晶体管/功率MOSFET 2SK2962
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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| 型号: | 2SK2962 NRND | |||||
| 产品分类名: | 晶体管/功率MOSFET/Nch 60V<VDSS≦150V | |||||
| 属性 | 值 | 条件 |
| 部件型号 | 2SK2962 | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 100 V | |
| 漏电流ID | 1 A | |
| 漏功耗PD | 900 mW | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 6.3 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=4V | 0.95 Ω | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.7 Ω | |
| 封装 | TO-92MOD | |
| 管脚数 | 3 | |
| 表面安装型 | N | |
| 产品分类 | 功率MOSFET(N沟单 60V<VDSS≦150V) | |
| 装配基础 | 马来西亚, 日本 | |
| RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
否
功率二*管
是
TOSHIBA/东芝
2SK2962
锗(Ge)
N沟
晶体管
