专营*童三*管HGTG30N60B3

制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  IGBT 晶体管   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
集电*—发射**大电压 VCEO:  600 V   
 
集电*—射*饱和电压:  1.45 V   
 
栅*/发射**大电压:  +/- 20 V   
 
Continuous Collector Current at 25 C:  60 A   
 
栅*—射*漏泄电流:  +/- 250 nA   
 
功率耗散:  208 W   
 
*大工作温度:  + 150 C   
 
封装 / 箱体:  TO-247-3   
 
封装:  Tube   
 
集电**大连续电流 Ic:  60 A  
 
*小工作温度:  - 55 C  
 
安装风格:  Through Hole  
 
*件号别名:  HGTG30N60B3_NL  
 
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