*童三*管 HGTG30N60A4D 原装 散新包测 包退包换 *

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区宏诚辉电子商行

普通会员

全部产品 进入商铺

制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  IGBT 晶体管   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
集电*—发射**大电压 VCEO:  600 V   
 
集电*—射*饱和电压:  1.8 V   
 
栅*/发射**大电压:  +/- 20 V   
 
Continuous Collector Current at 25 C:  75 A   
 
栅*—射*漏泄电流:  +/- 250 nA   
 
功率耗散:  463 W   
 
*大工作温度:  + 150 C   
 
封装 / 箱体:  TO-247-3   
 
封装:  Tube   
 
集电**大连续电流 Ic:  75 A  
 
*小工作温度:  - 55 C  
 
安装风格:  Through Hole  
 
*件号别名:  HGTG30N60A4D_NL  
 

"
加工定制

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

HGTG30N60A4D

应用范围

振荡

材料

硅(Si)

*性

NPN型

击穿电压VCEO

33(V)

集电*允许电流ICM

33(A)

集电*耗散功率PCM

33(W)

截止频率fT

44(MHz)

结构

点接触型

封装形式

直插型

封装材料

金属封装