专营*童三*管HGTP5N120BND 现货

制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  IGBT 晶体管   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
集电*—发射**大电压 VCEO:  1200 V   
 
集电*—射*饱和电压:  2.45 V   
 
栅*/发射**大电压:  +/- 20 V   
 
Continuous Collector Current at 25 C:  21 A   
 
栅*—射*漏泄电流:  +/- 250 nA   
 
功率耗散:  167 W   
 
*大工作温度:  + 150 C   
 
封装 / 箱体:  TO-220AB-3   
 
封装:  Tube   
 
集电**大连续电流 Ic:  21 A  
 
*小工作温度:  - 55 C  
 
安装风格:  Through Hole  
 
*件号别名:  HGTP5N120BND_NL