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NXP结点场效应JFET P*FJ110,215

地区：广东 深圳
认证： 无

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标准包装类别家庭系列电流 - 漏*(Idss) @ Vds (Vgs=0)漏*至源*电压(Vdss)漏*电流 (Id) - *大FET 型电压 - 击穿 (V(BR)GSS)电压 - 切断 (VGS 关）@ Id在 Vds 时的输入电容(Ciss)电阻 - RDS（开）安装类型包装封装/外壳供应商设备封装功率 - *大
3,000
分离式半导体产品
JFET（结点场效应
-
10mA @ 15V
25V
-
N 沟道
25V
4V @ 1µA
30pF @ 10V (VGS)
18 欧姆
表面贴装
带卷 (TR)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
250mW
"
是否提供加工定制

否

品牌/商标

NXP/恩智浦

型号/规格

P*FJ110,215

应用范围

放大

材料

硅(Si)

*性

NPN型

击穿电压VCEO

25（V）

集电*允许电流ICM

10m（A）

集电*耗散功率PCM

250m（W）

结构

平面型

封装形式

贴片型

封装材料

塑料封装