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ON安森美IGBT晶体管三*管 NGD15N41CLT4G

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市福田区宏诚辉电子商行

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标准包装类别家庭系列IGBT 类型电压 - 集电*发射*击穿（*大）Vge, Ic时的*大Vce（开）电流 - 集电* (Ic)（*大）功率 - *大输入类型安装类型封装/外壳供应商设备封装
2,500
分离式半导体产品
IGBT - 单路
-
-
440V
2.1V @ 4.5V, 10A
15A
107W
逻辑
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
DPAK-3
是否提供加工定制

否

品牌/商标

0N/安森美

型号/规格

NGD15N41CLT4G

应用范围

高反压

材料

硅(Si)

*性

NPN型

击穿电压VCEO

440（V）

集电*允许电流ICM

15（A）

集电*耗散功率PCM

107（W）

结构

面接触型

封装形式

贴片型

封装材料

塑料封装