*童*原装场效应管FQPF12N60C
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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品牌/商标 | FAIRCHILD/*童 | 型号/规格 | FQPF12N60C |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | AM/调幅 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 原厂规格(V) | 夹断电压 | 原厂规格(V) |
低频跨导 | 原厂规格(μS) | *间电容 | 原厂规格(pF) |
低频噪声系数 | 原厂规格(dB) | *大漏*电流 | 原厂规格(mA) |
*大耗散功率 | 原厂规格(mW) |
置:
晶体管*性:N-Channel
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管*性: N-Channel 电阻汲*/源* RDS(导通): 0.65 Ohm @ 10 V 正向跨导 gFS(*大值/*小值) : 13 S 汲*/源*击穿电压: 600 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏*连续电流: 12 A 功率耗散: 51000 mW *大工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220F 封装: Tube *小工作温度: - 55 C *件号别名: FQPF12N60C_NL |
13 S
FAIRCHILD/*童
FQPF12N60C