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原装*HGTG11N120CND

地区：广东 深圳
认证： 无

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品牌/商标 *童 型号/规格 HGTG11N120CND
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 HI-IMP/高输入阻*
封装外形 SP/*外形 材料 ALGaAS铝镓砷
开启电压 2.1（V） 夹断电压 1200（V）
低频跨导 原厂（μS） *间电容 原厂（pF）
低频噪声系数 原厂（dB） *大漏*电流 0.25（mA）
*大耗散功率 0.298（mW）