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场效应IGBT.G15N60RUFD

地区：广东 广州
认证： 无

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品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 G15N60RUFD
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 广泛
材料 N-FET硅N沟道 夹断电压 600（V）

迅丰电子*供应场效应IGBT.远新原装正品.SGH15N60RUFD .如有需要欢迎来电洽谈

特色标志优惠品牌FAIRCHILD
型号SGH15N60RUFD封装TO-*
*限电压600（V）*限电流15（A）
用途电磁炉沟道类型N沟道
品牌

FAIRCHILD

型号

G15N60RUFD