*快恢复二*管 SF18 *
地区：浙江 杭州
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快恢复二*管的内部结构与普通二*管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不*大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二*管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。*快恢复二*管的反向恢复电荷进一步减小，
1A*快速二*管SF 电参数
| 型号 | 正向电流IF(A) | 正向电压VF(V) | 反向电压VR(V) | 反向漏电流IR(mA) | 反向恢复时间TRR（nS) | 封装形式 |
| SF11 | 1 | 0.95 | 50 | 3 | 35 | DO-41 |
| SF12 | 1 | 0.95 | 100 | 3 | 35 | DO-41 |
| SF13 | 1 | 0.95 | 150 | 3 | 35 | DO-41 |
| SF14 | 1 | 0.95 | 200 | 3 | 35 | DO-41 |
| SF15 | 1 | 1.25 | 300 | 3 | 35 | DO-41 |
| SF16 | 1 | 1.25 | 400 | 3 | 35 | DO-41 |
| SF18 | 1 | 1.25 | 600 | 3 | 35 | DO-41 |
盒装一盒1000PCS,一件5000PCS,编带一盒5000PCS,一件50000PCS.
"否
快恢复二*管
是
MIC
SF18
硅(Si)
1A 600V
开关电源
-
