供应晶体三*管 2N2222/2N2907

三*管是由两个P-N结够成，NPN三*管就是两头是N型，中间是P型。N端为电子端，P端为空穴端
在制造三*管时，要把发射区的N型半导体电子浓度做的很大，基区P型半导体做的很薄，当基*的电压大于发射*电压（硅管要大0.7V，锗管要大0.3V）而小于集电*电压时，这时发射区的电子进入基区，进行复合，形成IE；但由于发射区的电子浓度很大，基区又很薄，电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的N型半导体里，形成IC；基区的空穴被复合后，基*的电压又会进行补给，形成IB。