*快恢复二*管 SF36
地区：浙江 杭州
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无
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快恢复二*管的内部结构与普通二*管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不*大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二*管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。*快恢复二*管的反向恢复电荷进一步减小，
3A*快恢复二*管SF系列电参数
| 型号 | 正向电流IF（A） | 正向电压VF（V） | 反向电压VR（V） | 反向漏电流IR（uA) | 反向恢复时间TRR | 封装形式 |
| SF31 | 3.0 | 1.0 | 50 | 3 | 35 | DO-27 |
| SF32 | 3.0 | 1.0 | 100 | 3 | 35 | DO-27 |
| SF33 | 3.0 | 1.0 | 150 | 3 | 35 | DO-27 |
| SF34 | 3.0 | 1.0 | 200 | 3 | 35 | DO-27 |
| SF35 | 3.0 | 1.25 | 300 | 3 | 35 | DO-27 |
| SF36 | 3.0 | 1.25 | 400 | 3 | 35 | DO-27 |
| SF38 | 3.0 | 1.25 | 600 | 3 | 35 | DO-27 |
否
快恢复二*管
是
MIC
SF36
硅(Si)
3A400V
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