大量场效应三*管，W26N50N,
地区：广东 深圳
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无
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产品属性
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| 品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | W26NM50N IRFZ44N IRF840 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | AM/调幅 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 500（V） | 夹断电压 | 500（V） |
| 跨导 | 30（μS） | *间电容 | 20（pF） |
| 低频噪声系数 | 3（dB） | *大漏*电流 | 2600（mA） |
| *大耗散功率 | 30000（mW） |
产品说明:
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【产品型号】：W26NM50【生产厂家】：ST 【封装型式】：TO-*/TO-247
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用途说明:MOS管 500V 26A原装* 质量*
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