FGA25N120AND集成电路IC

 

FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道 IGBT具有*佳的*雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡，能为电磁加热 (IH) 应用*系统*性和效率。FGA25N120ANTD 专为微波炉、IH电饭煲和其他IH炊具而设计，与上一代器件相比，它的工作温度可降低达10℃，因而能够延长系统寿命。它能够耐受*大450mJ的雪崩能量，*在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。
FGA25N120ANTD的其他特性包括：
低饱和电压 (VCE(sat), t* = 2.0V @ IC = 25A 和 TC = 25°C) 以限制导通损耗；
低开关损耗 (Eoff, t* = 0.96mJ @ IC = 25A 和 TC = 25°C) 以减少系统功耗；
内置FRD (*二*管) 以简化电路设计和减少元件数。

FGA25N120ANTD以TO-*无铅封装形式供货，能*甚至**/JEDEC的 J-STD-020B标准要求，并*合现已生效的欧盟标准。