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产品属性
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8205S TSOP-6 3000PCS/盘
20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N-沟道增强型 MOS
VDS= 20V
RDS(ON),,= 38mΩ
RDS(ON),,Ids@5A= 28mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 高级的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance *低的导通电阻高密度的单元设计
High Power and Current handing capability 大功率、大电流
Ideal for Li ion battery pack applications 理想的锂电池应用
深圳市阔晶电子有限公司,*MOS管,IC,二三*管供应商,常备现货,量大单价从优,期待您的合作。
联系方式:颜婵贞 :
MSN: E-mail:
地址:深圳市福田区华强北路中航路新亚洲二期N1B250柜和N2B232柜
"台产
8205S
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
0.8(V)
20(V)
5000(mA)
1000(mW)