优势供应 场效应管 贴片MOS管 GT2312

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二期阔晶电子商行

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品牌/商标 YGMOS 型号/规格 GT2312
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 S/开关
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 0.85(V) 夹断电压 20(V)
*大漏*电流 3700(mA) *大耗散功率 750(mW)

GT2312 SOTPCS/盘
 
20V   N-Channel Enhancement-Mode MOSFET   20V N沟道增强型 MOS 管
 
VDS= 20V
RDS(ON),,= 25mΩ
RDS(ON),,= 31mΩ
RDS(ON),,= 40mΩ
 
Features   特性
Advanced trench process technology   高级的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance  *低的导通电阻高密度的单元设计 
 
 

深圳市阔晶电子有限公司,*MOS管,IC,二三*管供应商,常备现货,量大单价从优,期待您的合作。

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品牌

YGMOS

型号

GT2312