| 品牌/商标 |
CET |
型号/规格 |
CEG8205 |
| 批号 |
09+ |
封装 |
TSSOP-8 |
| 营销方式 |
现货 |
产品性质 |
* |
| 处理信号 |
模拟信号 |
制作工艺 |
膜集成 |
| 导电类型 |
双*型 |
集成程度 |
小规模 |
| 工作温度 |
0~70（℃） |
静态功耗 |
1（mW） |
| 类型 |
通信IC |
| |
双N沟道增强型场效应晶体管
特征
20V的，4.5a按，的RDS（ON）=30mW的@的VGS=4.5V的。
的RDS（ON）=40mW的@的VGS=2.5V的。
**低的RDS的致密体电路设计（上）。
高功率和电流移交能力。
表面采用TSSOP- 8贴装封装。
