肖特基二*管(1N5819)

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肖特基二*管

简介肖特基二*管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，*D是肖特基势垒二*管（SchottkyBarrierDiode,缩写成*D）的简称。*D不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，*D也称为金属－半导体（接触）二*管或表面势垒二*管，它是一种热载流子二*管。

是近年来间世的低功耗、大电流、*速半导体器件。其反向恢复时间*短（可以小到几纳秒），正向导通压降*0.4V左右，而整流电流却可*几千安培。这些优良特性是快恢复二*管所*拟的。中、小功率肖特基整流二*管大多采用封装形式。

原理

肖特基二*管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正*，以N型半导体B为负*，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中*有*少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起*宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动*相对的平衡，便形成了肖特基势垒。