四方牌MTX系列可控硅、晶闸管模块（40年老厂，*）

1 范围

本标准规定了大功率焊接式高压可控硅模块（含芯片）的外形尺寸、额定值、特性值、检验规则、试验方法、标志、包装、运输、贮存。本标准适用于按单个器件额定通态平均电流在500A至1000A的大功率焊接式高压可控硅模块（含芯片）。

2 规范性引用标准

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后*的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的*新版本。凡是不注日期的引用文件，其*新版本适用于本标准。

GB/T 2900.32—1994  电工*语  电力半导体器件

GB/T4589.1-1989半导体器件  分立器件和集成电路总规范（idt IEC60747-10:1984）

GB 4728.5—1985  电气图用图形*号  半导体管和电子管（neq IEC 617-5:1983）

GB 4024—83  半导体器件反向阻断三*晶闸管的试验方法

GB/T 4937—1995  半导体器件机械和气候试验方法（idt IEC749:1984）

GB/T 4938—1995  半导体分立器件接收和*性（idt IEC147:1976）

*/T 2423—1999  电力半导体器件型号编制方法

*/T 4277—1996  电力半导体器件包装

*/T 5846—1991  晶闸管特性曲线计算指南

*/T 7626—1994  反向阻断三级晶闸管测试方法

*/T 6306—92    电力半导体模块外形尺寸

*/T 7625.2—94  晶闸管模块测试方法 臂对和反并联臂对

*/T 7826.1—1995  MT、MF系列臂对晶闸管模块

3 产品型式

3.1 型号说明

大功率焊接式高压可控硅模块的型号按*/T 7826.1—1995规定，如下：

M T C×××-×× 

××-表示断态和反向重复峰值电压级数（按表2）

×××-表示通态平均电流值（单位：A）

C-表示电路形式为串联

T-表示器件类别为晶闸管（可控硅）

M-表示模块

3.2 图形*号

电气图用可控硅模块芯片的图形*号*合GB 4728.5的规定，如图1所示。

3.3 外形尺寸

3.3.1 双孔单向装散热器式模块按*/T 6306—92中3.3.2。

3.3.2 四孔单向装散热器式模块按*/T 6306—92中3.3.3。