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TK40P04M1 东芝30V<VDSS≤60管

地区：上海 上海市
认证： 无

上海敏佑电子科技有限公司

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品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 TK40P04M1
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型

部件型号TK40P04M1 * 
*性N沟 
漏电流ID40 A 
漏功耗PD60 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)29 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=4.5V0.0134 Ω 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V0.011 Ω 
封装DP 
管脚数3 
表面安装型Y 
产品分类功率MOSFET (N沟 30V<VDSS≤60V) 
RoHS Compatible Product(s) (#)Available