东芝半导体2SK2608

品牌/商标	TOSHIBA东芝	型号/规格	2SK2608(F)
应用范围	功率	材料	硅(Si)
*性	PNP型	结构	点接触型
封装形式	直插型	封装材料	金属封装

部件型号	2SK2608
*性	N沟
漏源电压V_DSS	900 V
漏电流I_D	3 A
漏功耗P_D	100 W
门电荷总数Q_g(nC) (标准)	25
漏源导通电阻R_DS(ON)(*大) @V_GS=10V	4.3 Ω
封装	TO-220AB
产品分类	功率MOSFET (N沟 700V<VDSS)
RoHS Compatible Product(s) (#)	Available

替代型号2SK3564，为塑料封装。2SK2608为金属封装。欢迎咨询洽谈。

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