FQPF10N60C 10A 600V *童原装

地区:广东 深圳
认证:

深圳市长亮源科技有限公司

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数据列表产品相片产品培训模块标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装
FQP10N60C, FQPF10N60C
TO-220F Pkg
High Voltage Switches for Power Processing
1,000
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
QFET™
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
730 毫欧 @ 4.75A, 10V
600V
4V @ 250µA
57nC @ 10V
9.5A
2040pF @ 25V
50W
通孔
TO-220-3 全封装(直引线)
管件
品牌

FAIRCHILD/*童

型号

FQPF10N60C

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

CC/恒流

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

600(V)

夹断电压

5(V)

低频跨导

23(μS)

*间电容

25(pF)

低频噪声系数

100(dB)

漏*电流

10000(mA)

耗散功率

5000(mW)