HTANFET高温芯片传感器

型号：HTANFET

工作温度：-55℃~225℃

HTANFET是一种*性*强的N通道电源场效应晶体管(FET)，专门为在*其广泛的温度范围用途而设计的，例如诸如井下使用仪器、航空电子设备、涡轮发动机和工业控制。该电源FET是用*缘层上覆硅工艺生产的，在高温时大大降低了漏电。直流大电流能力和低Rds-ON是这一部件适合用在直流电和开关用途。如果*件在* 300℃的温度下工作一年，其性能会下降。*的*件都经过250℃老化, 以*生产次品。此外每个*件都在-55到 225℃的温度范围内性能*。

优势特点

额定温度：-55°C至 225°C

持续输出电流可达1Amp

典型输入电压可达90V

*缘层上覆硅(SOI)

4引脚电源带式封装或

带整体散热器的8引脚陶瓷Dip 

产品应用

井下油井

航空电子设备

涡轮发动机控制

工业过程控制

核反应堆

电力转换

重型内燃机

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