N沟MOSF管IRFZ24VS

品牌/商标	Federick美国	型号/规格	IRFZ24VS
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	A/宽频带放大
封装外形	CHIP/小型片状	材料	P-FET硅P沟道
开启电压	10（V）	夹断电压	10（V）
大漏电流	100（mA）	*大耗散功率	100（mW）

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装产品目录页面其它名称

IRFZ24VSPbF, IRFZ24VLPbF

D2PAK Pkg

D2Pak Side

50

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

60 毫欧 @ 10A, 10V

60V

4V @ 250µA