FQPF8N60C放大三*管

品牌/商标	FairChild*童	型号/规格	FQPF8N60C
应用范围	放大	材料	硅(Si)
*性	PNP型	击穿电压VCBO	600（V）
集电**大允许电流ICM	7.5（A）	集电**大耗散功率PCM	48（W）
结构	点接触型	封装形式	直插型
封装材料	塑料封装

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装

FQP8N60C, FQPF8N60C

TO-220AB

High Voltage Switches for Power Processing

Design/Process Change Notification 26/June/2007

50

分离式半导体产品

FET - 单路

QFET™

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

1.2 欧姆 @ 3.75A, 10V

600V