SiBar通信接口*雷半导体放电管(图)
地区：江苏 常州
认证：
无
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产品属性
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| 品牌/商标 | D-FIRST | 型号/规格 | TVB270SA |
| 种类 | 抑制器 | 用途 | 通信 |
| 体积 | 小型 | 电压特性 | 高压 |
| 形状 | 贴片式 | 熔断速度 | M/中速 |
| 执行标准 | 国标 | 自动复位功能 | 有 |
| *大电压 | 275（V） | *大电流 | 100（A） |
| 保持电流 | 50（A） | 动作温度 | 80（℃） |
| 温控范围 | -65-165（℃） |
SiBar半导体闸流管浪涌保护器件Thyristor Surge Protectors：
SiBar浪涌抑制器*合GR-1089 Core、ITU K.20/K.21、IEC61000-4-5、FCC第68章以及UL60950等主要标准，并能对行业标准中的50A、80A、100A （10/1000µs ）系列的浪涌电流提供快速的双向保护。
器件的关键性参数：电压范围从6 V至400 V，电容*12 pF，*大漏电流*2 µA，*小保持电流为150毫安。器件有S*（JEDEC DO-214AA）和SMA（JEDEC DO-214AC）两种表面贴装封装可供选择。
SiBar浪涌抑制器能够保护敏感的电信设备和数据通信设备，*包括雷击在内的瞬态过电压*造成的损坏，在浪涌电压*过器件击穿电压时起分流作用。当浪涌电压*过击穿电压时，SiBar工作在保护特性曲线的低阻区，形成一个低阻
通路，*地降低过电压。SiBar器件保持低阻状态直到流过该器件的电流下降到低于保持电流。在过电压*过去之后，SiBar器件自动恢复到高阻状态，系统正常工作。
SiBar器件除了自恢复功能以外，还有尺寸小，通态功耗低，击穿电压准确等特点。新推出的器件电容小，适合在*数*输的电路中使用。
TVB230-050 TVB270SC TVB200SC TVB170SC TVB270SA TVB200SA TVB170SA TVA270SA RoHS/ELV:TVB058SA-L TVB170Sx-L TVB200Sx-L TVx270Sx-L TVB300Sx-L TVA parts use the SMA package, TVB parts use the S* package **Sx signifies surge current series: SA (8/20μs 50Amps); * (8/20μs 80Amps); SC (8/20μs 100Amps)
