场效应管SE3400 N沟道 SOT-23封装 SI*-IC
地区：上海 上海市
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产品属性
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| 品牌/商标 | SI*-IC | 型号/规格 | SE3400 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | SP/*外形 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 12（V） | 夹断电压 | 30（V） |
| 跨导 | 1（μS） | *间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | *大漏*电流 | 5800（mA） |
| *大耗散功率 | 1（mW） |
SHANGHAI July 2008 MICROELE*RONICSCO., LTD.
SE3400
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General DescriptionThe MOSFETs from SI*-IC provide the * combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness.
| Features●VDS(V) =30V ●ID=5.8A (VGS= 10V) ●RDS(ON)<28mΩ(VGS= 10V) ●RDS(ON)<33mΩ(VGS= 4.5V) ●RDS(ON)<52mΩ(VGS= 2.5V)
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Pin configurations See Diagram below
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Absolute Maximum Ratings | |||||||
Parameter | Symbol | Rating | Units | ||||
Drain-Source Voltage | VDS | 30 | V | ||||
Gate-Source Voltage | VGS | &plu*n;12 | V | ||||
Drain Current (Note 1) | Continuous | ID | 5.8 | A | |||
70℃ | 4.9 | ||||||
Total Power Dissipation | PD | 1.4 | W | ||||
Operating Junction Temperature Range | TJ | -50 to 150 | °C | ||||
Thermal Characteristics | |||||||
Parameter | Symbol | T* | Max | ||||
Maximum Junction-to-AmbientA | Steady-State | RθJA | 65 | 90 | |||
Maximum Junction-to-- Case | Steady-State | RθJC | 0.8 | - | |||
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主要类目:1、TVS/*D保护器件2、场效应管 3、稳压管、4、肖特基二*管 5、AC-DC IC 6、霍尔IC 7、LED开路保护器件 8、二三*管
