蔡楚杰
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0N/安森美
NTD4860N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
24(μS)
500(pF)
24(dB)
24(mA)
24(mW)
mosfet型号
恒泰柯功率MOSFET
电力场效应晶体管
mosfet引脚
供应场效应K3937
供应场效应管NVD5865NL
供应场效应管FQU8880
供应场效应管STD60N3LH5
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