蔡楚杰
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INFINEON/英飞凌
6R299P
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
600(V)
24500(μS)
500(pF)
24(dB)
500(mA)
600(mW)
YFW20N02DF PDFN3*3-8L 场效应管 YFW佑风微
YFW2304 SOT-23场效应管 YFW佑风微
YFWG200N08AP TO-247场效应管 YFW佑风微
YFW60P03AD TO-252场效应管 YFW佑风微
供应场效应FS4710
供应场效应管2SK2750
供应场效应HFP75N75
供应高压场效应管SPB20N60C3
供应场效应管IRFR024N
供应场效应管IRLS4030-7P(图)
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