蔡楚杰
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0N/安森美
NTD5865N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
24(μS)
500(pF)
24(dB)
24(mA)
24(mW)
YFWG80N10NF PDFN5*6-8L场效应管 YFW佑风微
YFW75N20AT TO-220AB场效应管 YFW佑风微
YFW15N50AC TO-220C场效应管 YFW佑风微
YFW10N50BF(1.3mm) TO-220F场效应管 佑风微
供应场效应管IRLR8729
供应场效应管K*075N75P
供应场效应管IRLR014
供应场效应2SK3991
供应场效应管STB141NF55
供应场效应管STD6NF10
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