供应场效应AP60T03GH

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场效应AP60T03GH场效应AP60T03GH场效应AP60T03GH场效应AP60T03GH场效应AP60T03GH

品牌

APEC/富鼎

型号

AP60T03GH

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-P-FET锗P沟道

开启电压

30(V)

夹断电压

30(V)

低频跨导

24(μS)

*间电容

24(pF)

低频噪声系数

24(dB)

漏*电流

500(mA)

耗散功率

500(mW)