供应场效应09N03LA

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品牌

INFINEON/英飞凌

型号

09N03LA

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

30(V)

夹断电压

30(V)

低频跨导

24(μS)

*间电容

1250(pF)

低频噪声系数

24(dB)

漏*电流

600(mA)

耗散功率

500(mW)