供应场效应2SK2018(图)
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"FUJI/富士通
2SK2018
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
NF/音频(低频)
SMD(SO)/表面封装
GaAS-FET砷化镓
45（V）
55（V）
45（μS）
50（pF）
50（dB）
120（mA）
50（mW）
