供应场效应管FDP2552
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FAIRCHILD/*童
FDP2552
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
150(V)
150(V)
30(μS)
30(pF)
3(dB)
45(mA)
45(mW)