供应场效应B80NF10
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"ST/意法
B80NF10
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
SMD(SO)/表面封装
GaAS-FET砷化镓
45（V）
45（V）
4（μS）
54（pF）
530（dB）
30（mA）
30（mW）
