品牌:IR 型号:IRFR9024N 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 夹断电压:55（V） 低频跨导:24（μS） *间电容:350（pF） 低频噪声系数:24（dB） *大漏*电流:55000（mA） *大耗散功率:38000（mW）
场效应管IRFR9024N场效应管IRFR9024N场效应管IRFR9024N场效应管IRFR9024N场效应管IRFR9024N
