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场效应K3057

地区：广东 汕头
认证： 无

蔡楚杰

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品牌：NEC/日本电气型号：K3057种类：*缘栅(MOSFET)
沟道类型：N沟道导电方式：耗尽型用途：MW/微波
封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：GE-N-FET锗N沟道开启电压：30（V）
夹断电压：30（V） 跨导：45（μS） *间电容：4（pF）
低频噪声系数：5（dB） *大漏*电流：45（mA） *大耗散功率：45（mW）

原装供应场效应K3057

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