场效应管IRFP064N

地区:广东 汕头
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品牌:IR/国际整流器型号:IRFP064N种类:*缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:MW/微波
封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:ALGaAS铝镓砷开启电压:30(V)
夹断电压:30(V) 跨导:4(μS) *间电容:5(pF)
低频噪声系数:45(dB) *大漏*电流:45(mA) *大耗散功率:45(mW)

原装供应场效应管IRFP064N

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