供应开关二*管芯片 1SS187

品牌:TL 型号:1SS187 应用范围:开关 结构:点接触型 材料:硅 封装形式:裸片／晶圆 封装材料:裸芯片 发光颜色:- 正向工作电流:-（A） *高反向电压:-（V）

用途

*用於高壓、*開關應用

■特征:

*低正向壓降

*較小的總電容 *用於片式封裝

*較短的反向恢複時間 **圖形數 90000 只左右

芯片尺寸：280μm×280μm 壓焊區尺寸：φ120μm

芯片厚度：180&plu*n;10μm

锯片槽宽度：40μm 金屬層：正面:Al 2.3&plu*n;10μm，背面:Au 1.4&plu*n;10μm

電特性(Ta=25℃)

參 數 名 稱	* 號	測 試 條 件	* 小	* 大	典型值	單位
反向電壓	VR	IR=0.1mA	80		130	V
正向壓降	VF（1）	IF=10mA		1.0	0.67	V
	VF（2）	IF=100mA		1.2	0.92	V
反向漏電流	IR（1）	VR=20V		25		nA
	IR（2）	VR=75V		1		μA
總電容	CT	VR=0, f=1MHZ		3.0	2.0	PF
反向恢複時間	trr	IF=IR=10mA Irr=0.1×IR		4.0		ns

用途

*用於高壓、*開關應用

■特征:

*低正向壓降

*較小的總電容 *用於片式封裝

*較短的反向恢複時間 **圖形數 90000 只左右

芯片尺寸：280μm×280μm 壓焊區尺寸：φ120μm

芯片厚度：180&plu*n;10μm

锯片槽宽度：40μm 金屬層：正面:Al 2.3&plu*n;10μm，背面:Au 1.4&plu*n;10μm

電特性(Ta=25℃)

參 數 名 稱	* 號	測 試 條 件	* 小	* 大	典型值	單位
反向電壓	VR	IR=0.1mA	80		130	V
正向壓降	VF（1）	IF=10mA		1.0	0.67	V
	VF（2）	IF=100mA		1.2	0.92	V
反向漏電流	IR（1）	VR=20V		25		nA
	IR（2）	VR=75V		1		μA
總電容	CT	VR=0, f=1MHZ		3.0	2.0	PF
反向恢複時間	trr	IF=IR=10mA Irr=0.1×IR		4.0		ns