IR场效应 IRF640
地区：广东 深圳
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无
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产品属性
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| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRF640N |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 原厂规格（V） | 夹断电压 | 原厂规格（V） |
| 低频跨导 | 原厂规格（μS） | *间电容 | 原厂规格（pF） |
| 低频噪声系数 | 原厂规格（dB） | *大漏*电流 | 原厂规格（mA） |
| *大耗散功率 | 原厂规格（mW） |
原装现货
BT169D NXP TLP521-1-2-4GB TOS ULN2003 TOS/TI
PC817B/C SHARP K1010* COSMO
HEF4093BT PHI SN74HC244DWR TI SN74HCU04DR TI MM74HC573WMX FSC UC3843D ST TL431ACDR TI TIP127 ST EL817B EL FOD817A FSC FJP3305H1 FSC AZ317T BCD ULN2003 TI/TOS
深圳市新亚洲广源电子商行
深圳市华强北振中路新亚洲电子商场一楼1C017室
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IR
IRF640N
