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现货供应 SI2312DS-T1-E3

地区：广东 深圳
认证： 无

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品牌/商标 VISHAY 型号/规格 SI2312DS-T1-E3
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 S/开关
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 8（V） 夹断电压 20（V）
*大漏*电流 3900（mA）

品牌

VISHAY

型号

SI2312DS-T1-E3