供应*发射管
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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1.日本红外芯片制造.
2.*性高,寿命长.
3.芯片尺寸:Ф5红外发射管(12*12mil芯片)和(14*14mil芯片)光电
4.*
5.*限参数(Ta=25℃非推荐使用参数Ф10)如下表
| Ф5红外发射管 | |||||
12*12mil芯片 | 14*14mil芯片 | |||||
*号 | 数值 | 单位 | *号 | 数值 | 单位 | |
耗散功率 | PD | 75 | mW | PD | 100 | mW |
*大电流 | IFM | 45 | mA | IFM | 60 | mA |
反向电压 | VR | 5 | v | VR | 5 | v |
工作温度 | Topr | -25℃ to+ 80℃ | Topr | -25℃ to +80℃ | ||
储存温度 | Tstg | -40℃ to +100℃ | Tstg | -40℃ to +100℃ | ||
焊接温度 | Tsol | 260(5s) | ℃ | Tsol | 260(5s) | ℃ |
6.光电参数(Ta=25℃)如下表
| Ф5红外发射管 | |||
产品型号 | 波长λp(nm) | 反向电流IR(μA)(VR=5V) | 半角值2Θ1/2 | |
T* | ||||
12*12mil芯片 | DWIR-50a850C-K | 850 | ≤10 | 15 |
DWIR-50b850C-K | 850 | ≤10 | 30 | |
DWIR-50c850C-K | 850 | ≤10 | 45
| |
14*14mil芯片 | DWIR-50a850C-J | 850 | ≤10 | 15 |
DWIR-50b850C-J | 850 | ≤10 | 30 | |
DWIR-50c850C-J | 850 | ≤10 | 45 |