原装ST,可控硅,BTA08,600C
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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■
| Standard (4 quadrants)
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| |||||||||||||||||||||||
Symbol
| Test Conditions
| Quadrant
|
| BTA08 / BTB08
| Unit
|
| |||||||||||||||||||
C
| B
| ||||||||||||||||||||||||
IGT(1)
| VD= 12 V
| RL= 30 ?
| I - II - III IV
| MAX.
| 25 50
| 50 100
| mA
|
| |||||||||||||||||
VGT
| ALL
| MAX.
| 1.3
| V
|
| ||||||||||||||||||||
VGD
| VD= VDRM
| RL= 3.3 k?
| Tj
| = 125°C
| ALL
| MIN.
| 0.2
| V
|
| ||||||||||||||||
IH(2)
| IT= 500 mA
|
|
|
| MAX.
| 25
| 50
| mA
|
| ||||||||||||||||
IL
| IG= 1.2 IGT
|
|
|
| I - III - IV
| MAX.
| 40
| 50
| mA
|
| |||||||||||||||
II
| 80
| 100
|
| ||||||||||||||||||||||
dV/dt (2)
| VD
| =
| 67 %VDRM
| gate open
| Tj
| = 125°C
| MIN.
| 200
| 400
| V/µs
|
| ||||||||||||||
(dV/dt)c (2)
| (dI/dt)c = 5.3 A/ms
|
| Tj
| = 125°C
| MIN.
| 5
| 10
| V/µs
|
| ||||||||||||||||
Table 5: Static Characteristics
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Symbol
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| Test Conditions
| Value
| Unit
|
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VT(2)
| ITM= 11 A
| tp= 380 µs
| Tj
| = 25°C
| MAX.
| 1.55
| V
|
| |||||||||||||||||
Vto(2)
| Threshold voltage
| Tj
| = 125°C
| MAX.
| 0.85
| V
|
| ||||||||||||||||||
Rd(2)
| Dynamic resistance
| Tj
| = 125°C
| MAX.
| 50
| m?
|
| ||||||||||||||||||
IDRM IRRM
| VDRM= VRRM
| Tj
| = 25°C
| MAX.
| 5
| µA
|
| ||||||||||||||||||
Tj
| = 125°C
| 1
| mA
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Note 1:minimum IGTis guaranted at 5% of IGTmax.Note 2:for both polarities of A2 referenced to A1.
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