供应光电耦合器原装夏普PC817B/C

地区:广东 深圳
认证:

深圳市杰宝莱科技发展有限公司

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Absolute Maximum Ratings(Ta=25°

 

 

 

 

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Input

Forward current

IF

50

mA

*1 Peak forward current

IFM

1

A

Reverse voltage

VR

6

V

Power dissipation

P

70

mW

Output

Collector-emitter voltage

VCEO

*4

80

V

Emitter-collector voltage

VECO

 

 

 

6

V

Collector current

IC

 

 

 

50

mA

Collector power dissipation

PC

 

 

 

150

mW

Total power dissipation

Ptot

 

 

 

200

mW

*2 Isolation voltage

Viso (rms)

 

 

 

5.0

kV

Operating temperature

Topr

30 to 100

°C

Storage temperature

Tstg

55 to 125

°C

*3 Soldering temperature

Tsol

260

°C

*1 Pulse width≤100μs, Duty ratio : 0.001

 

*2 40 to 60%RH, AC for 1minute, f=60Hz

 

*3 For 10s

 

*4 Up to Date code "P7" (July 2002) VCEO : 35V.

 

 

 

 

Electro-optical Characteristics

 

 

 

 

Parameter

Symbol

Conditions

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

Input

Forward voltage

VF

IF=20mA

1.2

1.4

V

Peak forward voltage

VFM

IFM=0.5A

3.0

V

Reverse current

IR

VR=4V

10

µA

Terminal capacitance

Ct

V=0, f=1kHz

30

250

pF

Output

Collector dark current

ICEO

VCE=50V, IF=0

100

nA

Collector-emitter breakdown voltage

BVCEO

IC=0.1mA, IF=0

*5

80

V

Emitter-collector breakdown voltage

BVECO

IE=10µA, IF=0

 

 

 

6

V

Transfer characteristics

Collector current

IC

IF=5mA, VCE=5V

 

 

 

2.5

30.0

mA

Collector-emitter saturation voltage

VCE (sat)

IF=20mA, IC=1mA

 

 

 

0.1

0.2

V

Isolation resistance

RISO

DC500V, 40 to 60%RH

5×1010

1×1011

?

Floating capacitance

Cf

V=0, f=1MHz

0.6

1.0

pF

Cut-off frequency

fc

VCE=5V, IC=2mA, RL=100?, −3dB

80

kHz

Response time

Rise time

tr

VCE=2V, IC=2mA, RL=100?

4

18

µs

Fall time

tf

3

18

µs

*5 From the production Date code "J5" (May 1997) to "P7" (July 2002), however the products were screened by BVCEO≥70V.

 

 

 

 

 

 

 

注:如需详细资料请来电或在线咨询,网上公布价格只作参考,确切价格应当日行情而定,请咨询后选择定购,谢谢您对我公司的支持!

加工定制

品牌/商标

Sharp/夏普

型号/规格

PC817

种类

光电耦合器

波段范围

远红外

运转方式

单模式

激励方式

电激励式

工作物质

半导体

光路径

内光路

输出形式

光敏器件型

传输信号

双电源型

速度

低速

通道

双通道

输出波长

10(nm)

线宽

100(mm)